支援熱膨脹 (ΔL vs T) & 磁致伸縮 (ΔL vs H)測量;
高精度電容位置感測;
1.5至300 K和高達18 Tesla的磁場下可用;
相容多種低溫測量平臺:MultiFields® ColdTUBE, 南京鵬力®, Oxford@ TeslatronPT, QD® PPMS, Cryogenics® 等
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參數分類
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參數項目
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規格說明
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01. 系統工作環境
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樣品桿工作環境
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1.5 ~ 300 K,最高 18 T
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可適配平台
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適配 Oxford TeslatronPT、PPMS、Cryogenics 等第三方低溫系統
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02. 技術參數
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測試功能
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熱膨脹(ΔL vs T)& 磁致伸縮(ΔL vs H)
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適用樣品尺寸
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厚度 L:0.1 mm ~ 6 mm
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測量方法
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高精度電容式位置感測
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測量解析度
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0.05 nm(搭配 AH Series 電容橋)
0.5 nm(搭配 Keysight Series LCR 表)
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測量範圍
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ΔL: -0.1 ~ 0.1 mm
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磁場方向配置
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H // ΔL 與 H ⊥ ΔL(磁場平行 / 垂直於樣品伸縮方向)
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背底扣除方式
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通過無氧銅標準樣品進行背底扣除
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樣品安裝方式
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全機械式固定,無需粘接劑
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選配升級功能
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電致伸縮(Electrostriction)測試選件
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